창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HTZ150C8K | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HTZ150C | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 직렬 연결 1쌍 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 8400V(8.4kV) | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 3A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 6V @ 2A | |
속도 | 표준 회복 >500ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 8400V | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | 모듈 | |
공급 장치 패키지 | 모듈 | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HTZ150C8K | |
관련 링크 | HTZ15, HTZ150C8K 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | SZMMSZ5259BT1G | DIODE ZENER 39V 500MW SOD123 | SZMMSZ5259BT1G.pdf | |
![]() | TE1200B5R6J | RES CHAS MNT 5.6 OHM 5% 1200W | TE1200B5R6J.pdf | |
![]() | WHC1K0FE | RES 1K OHM 2W 1% AXIAL | WHC1K0FE.pdf | |
![]() | PSD312L-A-30JI | PSD312L-A-30JI WSI SMD or Through Hole | PSD312L-A-30JI.pdf | |
![]() | 564S300110 | 564S300110 NEC QFP | 564S300110.pdf | |
![]() | 9CAV221A39R2FLPF3 | 9CAV221A39R2FLPF3 YAGEO SMD | 9CAV221A39R2FLPF3.pdf | |
![]() | 2N3934 | 2N3934 MOT/HAR CAN6 | 2N3934.pdf | |
![]() | 93AA46CT-I/ST | 93AA46CT-I/ST MICROCHIP SMD or Through Hole | 93AA46CT-I/ST.pdf | |
![]() | 0805/62pf/50V | 0805/62pf/50V SAMSUNG SMD or Through Hole | 0805/62pf/50V.pdf | |
![]() | CC0402X102K50AT | CC0402X102K50AT AXB SMD or Through Hole | CC0402X102K50AT.pdf | |
![]() | HIN202ECBNT | HIN202ECBNT INTERSIL SMD or Through Hole | HIN202ECBNT.pdf | |
![]() | UN5111J-(TX) | UN5111J-(TX) PANASONIC SOT323 | UN5111J-(TX).pdf |