창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HTST-108-01-L-DV-P-TR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HTST-108-01-L-DV-P-TR | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | ORIGINAL | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HTST-108-01-L-DV-P-TR | |
| 관련 링크 | HTST-108-01-, HTST-108-01-L-DV-P-TR 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | BFC238352432 | 4300pF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC238352432.pdf | |
![]() | 402F30022IKT | 30MHz ±20ppm 수정 8pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F30022IKT.pdf | |
![]() | CDRH12D78/ANP-331MC | 330µH Shielded Inductor 750mA 579 mOhm Max Nonstandard | CDRH12D78/ANP-331MC.pdf | |
![]() | NJG1307R-TE1 | RF Amplifier IC Cellular 800MHz, 1.5GHz, 1.9GHz 8-VSP | NJG1307R-TE1.pdf | |
![]() | KBR-6.0MSB31 | KBR-6.0MSB31 Kyocera DIP-2P | KBR-6.0MSB31.pdf | |
![]() | UNRF2A600L | UNRF2A600L PANASONI SMD or Through Hole | UNRF2A600L.pdf | |
![]() | TA31136FG(EL) | TA31136FG(EL) TOSHIBA SMD or Through Hole | TA31136FG(EL).pdf | |
![]() | SC416800FU(61502-001) | SC416800FU(61502-001) MOT NA | SC416800FU(61502-001).pdf | |
![]() | HIP1011DAC | HIP1011DAC INTERSIL SSOP28 | HIP1011DAC.pdf | |
![]() | PLCC068TLANS | PLCC068TLANS SAT SMD or Through Hole | PLCC068TLANS.pdf | |
![]() | TRC88048NLE | TRC88048NLE TRC SMD or Through Hole | TRC88048NLE.pdf | |
![]() | PCA9535BS pb-FREE | PCA9535BS pb-FREE NXP SMD or Through Hole | PCA9535BS pb-FREE.pdf |