Honeywell Microelectronics & Precision Sensors HTNFET-D
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- HTNFET-D
- 제조업 자
- Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
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HTNFET-D 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HTNFET-D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HTNFET Datasheet | |
| 카탈로그 페이지 | 1194 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | |
| 계열 | HTMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 100mA, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.3nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 28V | |
| 전력 - 최대 | 50W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 225°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 8-CDIP 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-CDIP-EP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 342-1078 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HTNFET-D | |
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