Honeywell Microelectronics & Precision Sensors HTNFET-D

HTNFET-D
제조업체 부품 번호
HTNFET-D
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V 8-DIP
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내부 부품 번호EIS-HTNFET-D
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HTNFET Datasheet
카탈로그 페이지 1194 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
계열HTMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C-
Rds On(최대) @ Id, Vgs400m옴 @ 100mA, 5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.4V @ 100µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs4.3nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds290pF @ 28V
전력 - 최대50W
작동 온도-55°C ~ 225°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스8-CDIP 노출형 패드
공급 장치 패키지8-CDIP-EP
표준 포장 1
다른 이름342-1078
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)HTNFET-D
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