창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HSMS-2852-TR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HSMS-285x Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Broadcom Limited | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 - 1쌍 직렬 연결 | |
전압 - 피크 역(최대) | 2V | |
전류 - 최대 | - | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.3pF @ 1V, 1MHz | |
저항 @ If, F | - | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HSMS-2852-TR2G | |
관련 링크 | HSMS-285, HSMS-2852-TR2G 데이터 시트, Broadcom Limited 에이전트 유통 |
![]() | SIT5000AC-2E-33VQ-38.400000Y | OSC XO 3.3V 38.4MHZ VC | SIT5000AC-2E-33VQ-38.400000Y.pdf | |
![]() | TNPW2010562RBEEF | RES SMD 562 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010562RBEEF.pdf | |
![]() | TISP4350M3AJR | TISP4350M3AJR BOURNS DO241 | TISP4350M3AJR.pdf | |
![]() | 27C800PC-10 | 27C800PC-10 MX DIP | 27C800PC-10.pdf | |
![]() | TC5316200AP | TC5316200AP TOS N A | TC5316200AP.pdf | |
![]() | CR03AM-12-E | CR03AM-12-E ORIGINAL TO-92 | CR03AM-12-E.pdf | |
![]() | LM75BIM-3 NOPB | LM75BIM-3 NOPB NSC SMD or Through Hole | LM75BIM-3 NOPB.pdf | |
![]() | CC20R1H681KTP | CC20R1H681KTP MITSUBISHI SMD or Through Hole | CC20R1H681KTP.pdf | |
![]() | R245101 | R245101 REI Call | R245101.pdf | |
![]() | 1101M2S3V3BE2 | 1101M2S3V3BE2 C&K SMD or Through Hole | 1101M2S3V3BE2.pdf | |
![]() | JC82539MDE Q025ES | JC82539MDE Q025ES INTEL QFN | JC82539MDE Q025ES.pdf | |
![]() | SFH6316-T | SFH6316-T VishaySemicond SMD or Through Hole | SFH6316-T.pdf |