창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HSMP-3813-TR2G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HSMP-381x, 481x | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | RF 다이오드 | |
제조업체 | Broadcom Limited | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 핀 - 1 쌍의 공통 양극 | |
전압 - 피크 역(최대) | 100V | |
전류 - 최대 | 1A | |
정전 용량 @ Vr, F | 0.35pF @ 50V, 1MHz | |
저항 @ If, F | 3옴 @ 100mA, 100MHz | |
내전력(최대) | - | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HSMP-3813-TR2G | |
관련 링크 | HSMP-381, HSMP-3813-TR2G 데이터 시트, Broadcom Limited 에이전트 유통 |
![]() | C1812C471J2GACTU | 470pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812C471J2GACTU.pdf | |
![]() | VJ1812A510JBEAT4X | 51pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A510JBEAT4X.pdf | |
![]() | MKP385247100JD02G0 | 4700pF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.158" W (12.50mm x 4.00mm) | MKP385247100JD02G0.pdf | |
![]() | 0277004.NRT1 | FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC AXIAL | 0277004.NRT1.pdf | |
![]() | S1812-392G | 3.9µH Shielded Inductor 487mA 840 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | S1812-392G.pdf | |
![]() | SR0603KR-7W3K9L | RES SMD 3.9K OHM 10% 1/5W 0603 | SR0603KR-7W3K9L.pdf | |
![]() | F5CE-836M50-D232HX | F5CE-836M50-D232HX FUJITSU SMD or Through Hole | F5CE-836M50-D232HX.pdf | |
![]() | S-8356M18BD-MED-TF | S-8356M18BD-MED-TF SEIKO QFN | S-8356M18BD-MED-TF.pdf | |
![]() | RFPIC16F675F-I/SS | RFPIC16F675F-I/SS MICROCHIP SSOP | RFPIC16F675F-I/SS.pdf | |
![]() | TNETD1060ZDW | TNETD1060ZDW ORIGINAL SMD or Through Hole | TNETD1060ZDW.pdf | |
![]() | ST-42TD | ST-42TD COPAL SMD or Through Hole | ST-42TD.pdf | |
![]() | UPD703273VYGC-C10-8EA | UPD703273VYGC-C10-8EA RENESAS QFP | UPD703273VYGC-C10-8EA.pdf |