창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HSM830G/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HSM825,830,835,840,845 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 620mV @ 8A | |
속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 250µA @ 30V | |
정전 용량 @ Vr, F | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-215AB, SMC 갈매기날개형 | |
공급 장치 패키지 | DO-215AB | |
작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HSM830G/TR13 | |
관련 링크 | HSM830G, HSM830G/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | 1N3765R | DIODE GEN PURP REV 700V 35A DO5 | 1N3765R.pdf | |
![]() | IRFH4213DTRPBF | MOSFET N-CH 25V 40A 8PQFN | IRFH4213DTRPBF.pdf | |
![]() | RN73C2A30K9BTDF | RES SMD 30.9KOHM 0.1% 1/10W 0805 | RN73C2A30K9BTDF.pdf | |
![]() | P51-50-G-G-MD-5V-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-50-G-G-MD-5V-000-000.pdf | |
![]() | 2SC5415-E | 2SC5415-E FCI SOT-89 | 2SC5415-E.pdf | |
![]() | TUA1030A | TUA1030A INFINEON SMD or Through Hole | TUA1030A.pdf | |
![]() | AAT3510IGV-4.38-C- | AAT3510IGV-4.38-C- ANALOGIC SOT-153 | AAT3510IGV-4.38-C-.pdf | |
![]() | 30LJQ100SCS | 30LJQ100SCS InternationalRectifier SMD or Through Hole | 30LJQ100SCS.pdf | |
![]() | 1LUS12N15E | 1LUS12N15E MR DIP8 | 1LUS12N15E.pdf | |
![]() | XC2C384-10FT256IR02 | XC2C384-10FT256IR02 XILINX SMD or Through Hole | XC2C384-10FT256IR02.pdf | |
![]() | RG2800MS | RG2800MS LITTLE SMD or Through Hole | RG2800MS.pdf | |
![]() | MMBC1009F3 | MMBC1009F3 Onsemi SMD or Through Hole | MMBC1009F3.pdf |