창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HSM350GE3/TR13 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HSM350,360 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Microsemi Corporation | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 50V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 620mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100µA @ 50V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-215AB, SMC 갈매기날개형 | |
| 공급 장치 패키지 | DO-215AB | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HSM350GE3/TR13 | |
| 관련 링크 | HSM350GE, HSM350GE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | DR1050-120-R | 12µH Shielded Wirewound Inductor 3.94A 30.4 mOhm Max Nonstandard | DR1050-120-R.pdf | |
![]() | P51-100-A-R-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Absolute Male - M12 x 1.0 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-100-A-R-I12-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | IS41C16100-60K. | IS41C16100-60K. ISSI SOJ | IS41C16100-60K..pdf | |
![]() | 4000-70403-0100250 | 4000-70403-0100250 MURR SMD or Through Hole | 4000-70403-0100250.pdf | |
![]() | TC94A09F-100 | TC94A09F-100 TOSHBIA QFP | TC94A09F-100.pdf | |
![]() | BDV47 | BDV47 ORIGINAL SMD or Through Hole | BDV47.pdf | |
![]() | RN1401 TE85L | RN1401 TE85L TOSHIBA SOT23-3 | RN1401 TE85L.pdf | |
![]() | DTD143EG | DTD143EG UTC/ SOT-23TR | DTD143EG.pdf | |
![]() | MA328-014 | MA328-014 ORIGINAL SMD or Through Hole | MA328-014.pdf | |
![]() | MFI20123R3K-A | MFI20123R3K-A ORIGINAL SMD or Through Hole | MFI20123R3K-A.pdf | |
![]() | R5C832-LQFP128 | R5C832-LQFP128 RICOH LQFP | R5C832-LQFP128.pdf | |
![]() | RC0805JR-1010M | RC0805JR-1010M YAGEO SMD or Through Hole | RC0805JR-1010M.pdf |