창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HQCEWA561JAT6A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Hi-Q High RF Power | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | Hi-Q® | |
| 포장 | 트레이 - 와플 | |
| 정전 용량 | 560pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 2500V(2.5kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 3838(9797 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.170"(4.32mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 24 | |
| 다른 이름 | 478-6476 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HQCEWA561JAT6A | |
| 관련 링크 | HQCEWA56, HQCEWA561JAT6A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
|  | F30J1R0E | RES CHAS MNT 1 OHM 5% 30W | F30J1R0E.pdf | |
|  | D2TO035CR0220FTE3 | RES SMD 0.022 OHM 1% 35W TO263 | D2TO035CR0220FTE3.pdf | |
| .jpg) | RT1206CRC071K15L | RES SMD 1.15KOHM 0.25% 1/4W 1206 | RT1206CRC071K15L.pdf | |
|  | PLT1206Z5302LBTS | RES SMD 53K OHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z5302LBTS.pdf | |
|  | MORNTA1002AT5 | RES ARRAY 4 RES 10K OHM 8TSSOP | MORNTA1002AT5.pdf | |
|  | RR03J82KTB | RES 82.0K OHM 3W 5% AXIAL | RR03J82KTB.pdf | |
|  | CMF55340R00DHEA | RES 340 OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55340R00DHEA.pdf | |
|  | NM24C02FLEM8 | NM24C02FLEM8 FairchildSemicond SMD or Through Hole | NM24C02FLEM8.pdf | |
|  | PIC16F877-04 | PIC16F877-04 MIC SMD or Through Hole | PIC16F877-04.pdf | |
|  | KME50VB3R3M5X11LL | KME50VB3R3M5X11LL UNITED DIP | KME50VB3R3M5X11LL.pdf | |
|  | TBK1E106ISAB | TBK1E106ISAB DAEWOO SMD or Through Hole | TBK1E106ISAB.pdf | |
|  | CN48168N | CN48168N S DIP | CN48168N.pdf |