창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HQCE7M512GAH6A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Hi-Q High RF Power | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | Hi-Q® | |
포장 | 트레이 - 와플 | |
정전 용량 | 5100pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 500V | |
온도 계수 | P90 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 3838(9797 미터법) | |
크기/치수 | 0.380" L x 0.380" W(9.65mm x 9.65mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.170"(4.32mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 24 | |
다른 이름 | 478-6774 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HQCE7M512GAH6A | |
관련 링크 | HQCE7M51, HQCE7M512GAH6A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 |
CM309E19660800AALT | 19.6608MHz ±30ppm 수정 22pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E19660800AALT.pdf | ||
RT0402DRD07287RL | RES SMD 287 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD07287RL.pdf | ||
NJM7760M | NJM7760M JRC 8P | NJM7760M.pdf | ||
733W2162L1 | 733W2162L1 Sig DIP-16 | 733W2162L1.pdf | ||
BD8153 | BD8153 ORIGINAL TSSOP | BD8153.pdf | ||
AD5815-1BCDZ-U2 | AD5815-1BCDZ-U2 AD SMD or Through Hole | AD5815-1BCDZ-U2.pdf | ||
NCV8843MNG | NCV8843MNG ON DFN-18 | NCV8843MNG.pdf | ||
MC3307ADR2 | MC3307ADR2 ON SMD or Through Hole | MC3307ADR2.pdf | ||
PWR1604 | PWR1604 ORIGINAL SMD or Through Hole | PWR1604.pdf | ||
DL4146-101HD | DL4146-101HD SANYO DIP-3 | DL4146-101HD.pdf | ||
TMCMB1C475KTR(16V 4. | TMCMB1C475KTR(16V 4. HIATCHI TANTAL | TMCMB1C475KTR(16V 4..pdf |