창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HQCCWM3R9BAH6A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Hi-Q Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | Hi-Q® | |
| 포장 | 트레이 - 와플 | |
| 정전 용량 | 3.9pF | |
| 허용 오차 | ±0.1pF | |
| 전압 - 정격 | 2500V(2.5kV) | |
| 온도 계수 | P90 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 2325(5864 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.230" L x 0.250" W(5.84mm x 6.35mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.145"(3.68mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 36 | |
| 다른 이름 | 478-6657 HQCCWM3R9BAH6 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HQCCWM3R9BAH6A | |
| 관련 링크 | HQCCWM3R, HQCCWM3R9BAH6A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | 9C-22.1184MAAE-T | 22.1184MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | 9C-22.1184MAAE-T.pdf | |
![]() | RL1220T-R056-G | RES SMD 0.056 OHM 2% 1/4W 0805 | RL1220T-R056-G.pdf | |
![]() | 949PC | 949PC FUJITSU DIP14 | 949PC.pdf | |
![]() | HY27UF081G2A-SPIB | HY27UF081G2A-SPIB HYNIX TSOP | HY27UF081G2A-SPIB.pdf | |
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![]() | SEC51C806-8EM-A2C00032587 | SEC51C806-8EM-A2C00032587 INFINEON QFP | SEC51C806-8EM-A2C00032587.pdf | |
![]() | 2SK2850 2485 | 2SK2850 2485 ORIGINAL SMD | 2SK2850 2485.pdf | |
![]() | U443B | U443B TFK DIP8 | U443B.pdf | |
![]() | MAX8556EIE | MAX8556EIE MAXIM QFN | MAX8556EIE.pdf | |
![]() | AM29F032B-75ED | AM29F032B-75ED AMD TSSOP(120TRAY64BO | AM29F032B-75ED.pdf | |
![]() | SISH136-681PF | SISH136-681PF DEL SMD | SISH136-681PF.pdf |