창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HQCCWM181GAH6A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Hi-Q Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | Hi-Q® | |
포장 | 트레이 - 와플 | |
정전 용량 | 180pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 2500V(2.5kV) | |
온도 계수 | P90 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 2325(5864 미터법) | |
크기/치수 | 0.230" L x 0.250" W(5.84mm x 6.35mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.145"(3.68mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 36 | |
다른 이름 | 478-6680 HQCCWM181GAH6 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HQCCWM181GAH6A | |
관련 링크 | HQCCWM18, HQCCWM181GAH6A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 |
![]() | B82442T1682M50 | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 1.68A 106 mOhm Max 2-SMD | B82442T1682M50.pdf | |
![]() | NKN200JR-73-18R | RES 18 OHM 2W 5% AXIAL | NKN200JR-73-18R.pdf | |
![]() | CB3216-101/0A5(1206-100R) | CB3216-101/0A5(1206-100R) ZHF 1206 | CB3216-101/0A5(1206-100R).pdf | |
![]() | Q3307JC41004111 | Q3307JC41004111 EPSONTOYO SMD or Through Hole | Q3307JC41004111.pdf | |
![]() | MAX8867EUK28 | MAX8867EUK28 MAXIM SOT23-5 | MAX8867EUK28.pdf | |
![]() | Z16C0110PSC | Z16C0110PSC ZILOG DIP | Z16C0110PSC.pdf | |
![]() | 88HFR120 | 88HFR120 IR SMD or Through Hole | 88HFR120.pdf | |
![]() | NT68P61AU-I | NT68P61AU-I NOVATEK DIP42 | NT68P61AU-I.pdf | |
![]() | RM-JMK105-BJ224KV-F | RM-JMK105-BJ224KV-F ORIGINAL SMD or Through Hole | RM-JMK105-BJ224KV-F.pdf | |
![]() | R8A77850BDBGV-WS1 | R8A77850BDBGV-WS1 RENESA SMD or Through Hole | R8A77850BDBGV-WS1.pdf | |
![]() | LL1C226M05011 | LL1C226M05011 SAMWHA SMD or Through Hole | LL1C226M05011.pdf | |
![]() | MCR18 EZH J 000 | MCR18 EZH J 000 SONY ROHS | MCR18 EZH J 000.pdf |