창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HQCCHA271GAT9A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Hi-Q High RF Power | |
| 카탈로그 페이지 | 2126 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | AVX Corporation | |
| 계열 | Hi-Q® | |
| 포장 | 벌크 | |
| 정전 용량 | 270pF | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전압 - 정격 | 3000V(3kV) | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 2325(5864 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.230" L x 0.250" W(5.84mm x 6.35mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.145"(3.68mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q, 저손실, 초저 ESR, 고전압 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 478-4549 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HQCCHA271GAT9A | |
| 관련 링크 | HQCCHA27, HQCCHA271GAT9A 데이터 시트, AVX Corporation 에이전트 유통 | |
![]() | GRM219R61H225ME15D | 2.2µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219R61H225ME15D.pdf | |
![]() | 2N7002-G | MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT23 | 2N7002-G.pdf | |
![]() | HK21258N2J-T | 8.2nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 280 mOhm Max 0805 (2012 Metric) | HK21258N2J-T.pdf | |
![]() | IDT7007L55PF-45 | IDT7007L55PF-45 IDT SMD or Through Hole | IDT7007L55PF-45.pdf | |
![]() | K1150BA-33.000MHZ | K1150BA-33.000MHZ ORIGINAL ORIGINAL | K1150BA-33.000MHZ.pdf | |
![]() | RK337713.12 | RK337713.12 SIE DIODE | RK337713.12.pdf | |
![]() | ATOM010010030001 | ATOM010010030001 ATOM SMD or Through Hole | ATOM010010030001.pdf | |
![]() | 3900MFD 400V | 3900MFD 400V HITACHI SMD or Through Hole | 3900MFD 400V.pdf | |
![]() | C16T20F-11A | C16T20F-11A NIEC TO-262 | C16T20F-11A.pdf | |
![]() | STA8058-3B/ | STA8058-3B/ ST BGA | STA8058-3B/.pdf | |
![]() | AC662 | AC662 ALP SMD or Through Hole | AC662.pdf | |
![]() | 63YXG330M16X16 | 63YXG330M16X16 RUBYCON DIP | 63YXG330M16X16.pdf |