창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HO 120-NP | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | H(40,60,120,150)-NP | |
| 제품 교육 모듈 | HO Series of Mid Range Current Transducers | |
| 주요제품 | HO-NP Series Current Transducers | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 전류 트랜스듀서 | |
| 제조업체 | LEM USA Inc. | |
| 계열 | HO-NP | |
| 포장 | 트레이 | |
| 부품 현황 | * | |
| 측정용 | AC/DC | |
| 센서 유형 | 홀 효과, 개방형 루프 | |
| 전류 - 감지 | 120A | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 출력 | 비례, 전압 | |
| 감도 | - | |
| 주파수 | DC ~ 350kHz | |
| 선형성 | ±0.5% | |
| 정확도 | ±1.25% | |
| 전압 - 공급 | 5V | |
| 응답 시간 | 2.5µs | |
| 전류 - 공급(최대) | 25mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 105°C | |
| 분극 | 양방향 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 모듈 | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 다른 이름 | 398-1159 90.K3.36.000.0 HO 120-NP-0100 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HO 120-NP | |
| 관련 링크 | HO 12, HO 120-NP 데이터 시트, LEM USA Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | VS-MBRD660CTPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO252 | VS-MBRD660CTPBF.pdf | |
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![]() | SM4124FTR243 | RES SMD 0.243 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FTR243.pdf | |
![]() | SQV322520T-1R2M-N | SQV322520T-1R2M-N ORIGINAL SMD or Through Hole | SQV322520T-1R2M-N.pdf | |
![]() | TEK100840/215 | TEK100840/215 ORIGINAL SMD or Through Hole | TEK100840/215.pdf | |
![]() | EL0305SKI-6R8J | EL0305SKI-6R8J TDK SMD or Through Hole | EL0305SKI-6R8J.pdf | |
![]() | 74ALVC00PWR | 74ALVC00PWR TI TSSOP | 74ALVC00PWR.pdf | |
![]() | SIEMENS462 0082002.03 | SIEMENS462 0082002.03 ST QFP | SIEMENS462 0082002.03.pdf | |
![]() | 74ABT16646DGG | 74ABT16646DGG PHI TSSOP | 74ABT16646DGG.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | DS1388-5 | DS1388-5 ORIGINAL SMD or Through Hole | DS1388-5.pdf |