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Toshiba Semiconductor and Storage HN4C51J(TE85L,F)

HN4C51J(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
HN4C51J(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이
간단한 설명
TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
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내부 부품 번호EIS-HN4C51J(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HN4C51J
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 NPN(이중) 공통 베이스
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)120V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 1mA, 10mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce200 @ 2mA, 6V
전력 - 최대300mW
주파수 - 트랜지션100MHz
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-74A, SOT-753
공급 장치 패키지SMV
표준 포장 3,000
다른 이름HN4C51J (TE85L,F)
HN4C51J (TE85LF)
HN4C51J(TE85LF)TR
HN4C51JTE85LF
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)HN4C51J(TE85L,F)
관련 링크HN4C51J(T, HN4C51J(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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