창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN2S03T(TE85L) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HN2S03T | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 20V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 50mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 550mV @ 50mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 20V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | TESQ | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | HN2S03T(TE85L)TR HN2S03TTE85L | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HN2S03T(TE85L) | |
관련 링크 | HN2S03T(, HN2S03T(TE85L) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | TMK063CG070DPGF | 7pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | TMK063CG070DPGF.pdf | |
![]() | Y0786103R000B9L | RES 103 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0786103R000B9L.pdf | |
![]() | RS10K1R0JTG | RS10K1R0JTG FH SMD or Through Hole | RS10K1R0JTG.pdf | |
![]() | V2464AQ | V2464AQ TI SMD or Through Hole | V2464AQ.pdf | |
![]() | 106113-1000 | 106113-1000 ORIGINAL SMD or Through Hole | 106113-1000.pdf | |
![]() | BT424KG465 | BT424KG465 BT PGA | BT424KG465.pdf | |
![]() | L2B1417 | L2B1417 ORIGINAL BGA | L2B1417.pdf | |
![]() | EA2-48SNJ | EA2-48SNJ NEC SMD or Through Hole | EA2-48SNJ.pdf | |
![]() | BBY51E | BBY51E SIEMENS SOT-23 | BBY51E.pdf | |
![]() | 66D-12S12R | 66D-12S12R YDS DIP5 | 66D-12S12R.pdf | |
![]() | B457X22 | B457X22 INFINEON SOP | B457X22.pdf | |
![]() | TEA1112AT, | TEA1112AT, PHI SMD-16 | TEA1112AT,.pdf |