창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN2S01FUTE85LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HN2S01FU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 3 독립형 | |
다이오드 유형 | 쇼트키 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 10V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 500mV @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | - | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 10V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | US6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | HN2S01FU (TE85L,F) HN2S01FU(TE85L,F) HN2S01FUTE85LFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HN2S01FUTE85LF | |
관련 링크 | HN2S01FU, HN2S01FUTE85LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | SIT8208AI-G3-18E-75.000000X | 75MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 31mA Enable/Disable | SIT8208AI-G3-18E-75.000000X.pdf | |
![]() | RC0805FR-071M43L | RES SMD 1.43M OHM 1% 1/8W 0805 | RC0805FR-071M43L.pdf | |
![]() | CAT16-47R5F4LF | RES ARRAY 4 RES 47.5 OHM 1206 | CAT16-47R5F4LF.pdf | |
![]() | 90J1K0E | RES 1K OHM 11W 5% AXIAL | 90J1K0E.pdf | |
![]() | ISL60002CIH311Z-TK | ISL60002CIH311Z-TK INTERSIL SMD or Through Hole | ISL60002CIH311Z-TK.pdf | |
![]() | ICC09-316-396C | ICC09-316-396C KEL SMD or Through Hole | ICC09-316-396C.pdf | |
![]() | K6R1008C1C-JI12 | K6R1008C1C-JI12 SAMSUNG SOJ | K6R1008C1C-JI12.pdf | |
![]() | ET142 | ET142 FUJI TO-3P | ET142.pdf | |
![]() | LM319N/PHILIPS | LM319N/PHILIPS PHILIPS DIP | LM319N/PHILIPS.pdf | |
![]() | T6A40BR,T | T6A40BR,T TOS QFP | T6A40BR,T.pdf | |
![]() | MEGA8L8M10618I | MEGA8L8M10618I ORIGINAL QFN | MEGA8L8M10618I.pdf | |
![]() | CE2301M | CE2301M ORIGINAL SOT-23-3 | CE2301M.pdf |