창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN2D01JE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HN2D01JE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드, 정류기 - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
다이오드 구성 | 독립형 2개 | |
다이오드 유형 | 표준 | |
전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 80V | |
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당) | 100mA | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 100mA | |
속도 | 소형 신호 =< 200mA(Io), 모든 속도 | |
역회복 시간(trr) | 1.6ns | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 80V | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-553 | |
공급 장치 패키지 | ESV | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | HN2D01JE(TE85LF)TR HN2D01JETE85LF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HN2D01JE(TE85L,F) | |
관련 링크 | HN2D01JE(T, HN2D01JE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | S270J25U2MR6BV7RX1 | 27pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 U2M 방사형, 디스크 | S270J25U2MR6BV7RX1.pdf | |
![]() | SIT9001ACR33-18D5-24.00000T | OSC XO 1.8V 24MHZ SD -1.0% | SIT9001ACR33-18D5-24.00000T.pdf | |
![]() | SIT5000AI-GE-33N0-10.000000Y | OSC XO 3.3V 10MHZ NC | SIT5000AI-GE-33N0-10.000000Y.pdf | |
![]() | ISC1812ER120J | 12µH Shielded Wirewound Inductor 265mA 1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ER120J.pdf | |
![]() | CRGH2010F215R | RES SMD 215 OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F215R.pdf | |
![]() | C062K103K2X5CA7301 | C062K103K2X5CA7301 KEM SMD or Through Hole | C062K103K2X5CA7301.pdf | |
![]() | HY-866 | HY-866 ORIGINAL SMD or Through Hole | HY-866.pdf | |
![]() | SLE4442 | SLE4442 ORIGINAL T-M3.2-6 | SLE4442.pdf | |
![]() | NOVA-SAA-PD602514AM | NOVA-SAA-PD602514AM ALCATEL DIP | NOVA-SAA-PD602514AM.pdf | |
![]() | 6927V2072AG=VCT49X3F PZ F1000 | 6927V2072AG=VCT49X3F PZ F1000 MICRONAS SMD or Through Hole | 6927V2072AG=VCT49X3F PZ F1000.pdf | |
![]() | BA6709JFS | BA6709JFS ROHM SSOP-16P | BA6709JFS.pdf | |
![]() | AM2917AJCTR | AM2917AJCTR AMD SMD or Through Hole | AM2917AJCTR.pdf |