창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN1C01FE-GR,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HN1C01FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V | |
전력 - 최대 | 100mW | |
주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | HN1C01FE-GR (5L,F,T HN1C01FE-GR(5L,F,T HN1C01FE-GR(5LFTTR HN1C01FE-GR(5LFTTR-ND HN1C01FE-GR,LF(B HN1C01FE-GR,LF(T HN1C01FE-GRLFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HN1C01FE-GR,LF | |
관련 링크 | HN1C01FE, HN1C01FE-GR,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | E1S4T | E1S4T NO SMD or Through Hole | E1S4T.pdf | |
![]() | P5CC036ETS | P5CC036ETS PHILIPS SMD or Through Hole | P5CC036ETS.pdf | |
![]() | VN0108N3 | VN0108N3 Supertex TO-92 | VN0108N3.pdf | |
![]() | HH--WSLT09 | HH--WSLT09 ORIGINAL SMD or Through Hole | HH--WSLT09.pdf | |
![]() | AD28F256ES-200P1C2 | AD28F256ES-200P1C2 INTEL DIP | AD28F256ES-200P1C2.pdf | |
![]() | 8-759-653-23 | 8-759-653-23 SONY QFP-80 | 8-759-653-23.pdf | |
![]() | 9665PC | 9665PC FSC DIP | 9665PC.pdf | |
![]() | lm5021na-1-nopb | lm5021na-1-nopb nsc SMD or Through Hole | lm5021na-1-nopb.pdf | |
![]() | EP2S90H484I4N | EP2S90H484I4N ORIGINAL SMD or Through Hole | EP2S90H484I4N.pdf | |
![]() | US39 IKU | US39 IKU ST SOP-20 | US39 IKU.pdf | |
![]() | 511D336M160DK4D | 511D336M160DK4D VISHAY DIP | 511D336M160DK4D.pdf | |
![]() | 95C06C4GWT | 95C06C4GWT GHY SMD or Through Hole | 95C06C4GWT.pdf |