창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HN1B04FE-Y,LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HN1B04FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | NPN, PNP | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 150mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V | |
전력 - 최대 | 100mW | |
주파수 - 트랜지션 | 80MHz | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | HN1B04FE-Y(T5L,F,T HN1B04FE-Y(T5LFTTR HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND HN1B04FE-Y,LF(B HN1B04FE-Y,LF(T HN1B04FE-YLF(TTR HN1B04FE-YLF(TTR-ND HN1B04FE-YLFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HN1B04FE-Y,LF | |
관련 링크 | HN1B04F, HN1B04FE-Y,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
![]() | AT0402DRE0768RL | RES SMD 68 OHM 0.5% 1/16W 0402 | AT0402DRE0768RL.pdf | |
![]() | CMF553K4800FKEB70 | RES 3.48K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF553K4800FKEB70.pdf | |
![]() | D2576B | D2576B ORIGINAL SMD or Through Hole | D2576B.pdf | |
![]() | HMC141 | HMC141 HITTITE DV69 | HMC141.pdf | |
![]() | MLI-201209-1R5K | MLI-201209-1R5K JARO SMD | MLI-201209-1R5K.pdf | |
![]() | RB461F TEL:82766440 | RB461F TEL:82766440 ROHM UMT3 | RB461F TEL:82766440.pdf | |
![]() | PC111F1-4 | PC111F1-4 CMAC SMD or Through Hole | PC111F1-4.pdf | |
![]() | TEA1762T/N2/DG/S1 | TEA1762T/N2/DG/S1 NXP SMD or Through Hole | TEA1762T/N2/DG/S1.pdf | |
![]() | BAV301TR | BAV301TR ORIGINAL SMD or Through Hole | BAV301TR.pdf | |
![]() | LM48310SDCT | LM48310SDCT NS SMD or Through Hole | LM48310SDCT.pdf | |
![]() | TOSHIBA-B60KP1=8823CSNG42159 | TOSHIBA-B60KP1=8823CSNG42159 TOS SMD or Through Hole | TOSHIBA-B60KP1=8823CSNG42159.pdf | |
![]() | LE0301- 3X3-200K | LE0301- 3X3-200K ORIGINAL 3X3 | LE0301- 3X3-200K.pdf |