- HM2P09PDR210N9

HM2P09PDR210N9
제조업체 부품 번호
HM2P09PDR210N9
제조업 자
-
제품 카테고리
반도체 - 1
간단한 설명
HM2P09PDR210N9 FCI SMD or Through Hole
데이터 시트 다운로드
다운로드
HM2P09PDR210N9 가격 및 조달

가능 수량

108590 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주

시장 가격
N/A
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 HM2P09PDR210N9 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. HM2P09PDR210N9 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. HM2P09PDR210N9가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
HM2P09PDR210N9 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
HM2P09PDR210N9 매개 변수
내부 부품 번호EIS-HM2P09PDR210N9
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
시리즈HM2P09PDR210N9
EDA/CAD 모델-
종류전자 부품
공차-
풍모-
작동 온도-
정격 전압-
정격 전류-
최종 제품-
포장 종류SMD or Through Hole
무게0.001 KG
대체 부품 (교체) HM2P09PDR210N9
관련 링크HM2P09PD, HM2P09PDR210N9 데이터 시트, - 에이전트 유통
HM2P09PDR210N9 의 관련 제품
360pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D361FLAAJ.pdf
0.27µF Film Capacitor 550V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.240" L x 0.709" W (31.50mm x 18.00mm) MKP385427160JKP2T0.pdf
3.75MHz ~ 77.76MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable SIT1602ACU3-XXE.pdf
Solid State Relay DPST (2 Form A) Hockey Puck CC2425E4VH.pdf
RES SMD 169 OHM 1% 1/10W 0603 RMCF0603FT169R.pdf
Current Sensor 20A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Unidirectional 24-LSSOP (0.220", 5.60mm Width) CQ330B.pdf
B39111-B4542-Z910 EPCOS 7mmX5mm B39111-B4542-Z910.pdf
21S7A3 NIKKO SMD or Through Hole 21S7A3.pdf
K6F1616T6B-UF55 SAMSUNG BGA K6F1616T6B-UF55.pdf
SWAA07 SEOULSEMICONDUCTOR ROHS SWAA07.pdf
LE88CLGM SLAST Intel SMD or Through Hole LE88CLGM SLAST.pdf
NUF4403MNT N QFN NUF4403MNT.pdf