창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HK2W227M35030HC180 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | HK2W227M35030HC180 | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | HK2W227M35030HC180 | |
| 관련 링크 | HK2W227M35, HK2W227M35030HC180 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | FK28C0G1H681J | 680pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FK28C0G1H681J.pdf | |
![]() | BFC233921474 | 0.47µF Film Capacitor 310V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.276" W (26.00mm x 7.00mm) | BFC233921474.pdf | |
![]() | SIT3808AI-C3-33EH-29.500000T | OSC XO 3.3V 29.5MHZ OE | SIT3808AI-C3-33EH-29.500000T.pdf | |
![]() | IPB80N04S3-03 | MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3 | IPB80N04S3-03.pdf | |
![]() | CMF55165R00FKBF | RES 165 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55165R00FKBF.pdf | |
![]() | TA48M05F/ | TA48M05F/ TOSHIBA SMD or Through Hole | TA48M05F/.pdf | |
![]() | TA0175A | TA0175A TST SMD | TA0175A.pdf | |
![]() | C1876GT | C1876GT NEC SOP | C1876GT.pdf | |
![]() | IXG100NA60U | IXG100NA60U ORIGINAL SMD or Through Hole | IXG100NA60U.pdf | |
![]() | HPIXP2350AC | HPIXP2350AC INTEL BGA | HPIXP2350AC.pdf | |
![]() | TDA9586H | TDA9586H ORIGINAL SMD or Through Hole | TDA9586H.pdf |