창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HGTD7N60C3S9A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HGTD7N60C3S, HGTP7N60C3 | |
제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 14A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 56A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 7A | |
전력 - 최대 | 60W | |
스위칭 에너지 | 165µJ(켜기), 600µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 23nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | - | |
테스트 조건 | - | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | TO-252AA | |
표준 포장 | 2,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HGTD7N60C3S9A | |
관련 링크 | HGTD7N6, HGTD7N60C3S9A 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
MMBZ5249B-E3-18 | DIODE ZENER 19V 225MW SOT23-3 | MMBZ5249B-E3-18.pdf | ||
SUD40N10-25-T4-E3 | MOSFET N-CH 100V 40A TO252 | SUD40N10-25-T4-E3.pdf | ||
PE-68283 | PE-68283 Pulse NA | PE-68283.pdf | ||
SIL861CB220 | SIL861CB220 SILICON BGA | SIL861CB220.pdf | ||
0603 1K | 0603 1K ZTJ SMD or Through Hole | 0603 1K.pdf | ||
M27204-21P | M27204-21P MINDSPEED BGA | M27204-21P.pdf | ||
AT24C256C-SSHC-T | AT24C256C-SSHC-T ATMEL SOP8 | AT24C256C-SSHC-T.pdf | ||
MEV1S0505DC | MEV1S0505DC Murata DIP14 | MEV1S0505DC.pdf | ||
LFC32TER56K | LFC32TER56K ORIGINAL SMD or Through Hole | LFC32TER56K.pdf | ||
M5701BOD | M5701BOD ALI QFP | M5701BOD.pdf | ||
USC1850-BI | USC1850-BI USI CDIP | USC1850-BI.pdf | ||
SY58610UMGTR | SY58610UMGTR MICREL QFN16 | SY58610UMGTR.pdf |