Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
제조업체 부품 번호
HGT1S10N120BNST
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 단일
간단한 설명
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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내부 부품 번호EIS-HGT1S10N120BNST
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS
제품 교육 모듈High Voltage Switches for Power Processing
PCN 설계/사양Description Chg 01/Apr/2016
PCN 포장Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014
카탈로그 페이지 1605 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 단일
제조업체Fairchild Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
IGBT 유형NPT
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)1200V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)35A
전류 - 콜렉터 펄스(Icm)80A
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
전력 - 최대298W
스위칭 에너지320µJ(켜기), 800µJ(끄기)
입력 유형표준
게이트 전하100nC
Td(온/오프) @ 25°C23ns/165ns
테스트 조건960V, 10A, 10 옴, 15V
역회복 시간(trr)-
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
공급 장치 패키지TO-263AB
표준 포장 800
다른 이름HGT1S10N120BNST-ND
HGT1S10N120BNSTTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)HGT1S10N120BNST
관련 링크HGT1S10N1, HGT1S10N120BNST 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통
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