Fairchild Semiconductor HGT1S10N120BNST
- 제조업체 부품 번호
- HGT1S10N120BNST
- 제조업 자
- Fairchild Semiconductor
- 제품 카테고리
- IGBT - 단일
- 간단한 설명
- IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
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HGT1S10N120BNST 가격 및 조달
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제조업체 표준 리드 타임: 6 주
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HGT1S10N120BNST 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-HGT1S10N120BNST | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS | |
| 제품 교육 모듈 | High Voltage Switches for Power Processing | |
| PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
| PCN 포장 | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1605 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | NPT | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 35A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 80A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A | |
| 전력 - 최대 | 298W | |
| 스위칭 에너지 | 320µJ(켜기), 800µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 100nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 23ns/165ns | |
| 테스트 조건 | 960V, 10A, 10 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | HGT1S10N120BNST-ND HGT1S10N120BNSTTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HGT1S10N120BNST | |
| 관련 링크 | HGT1S10N1, HGT1S10N120BNST 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
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