창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HGT1S10N120BNS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HGT(G,P)10N120BN, HGT1S10N120BNS | |
PCN 설계/사양 | Description Chg 01/Apr/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
IGBT 유형 | NPT | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 1200V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 35A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 80A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A | |
전력 - 최대 | 298W | |
스위칭 에너지 | 320µJ(켜기), 800µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 100nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 23ns/165ns | |
테스트 조건 | 960V, 10A, 10 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
공급 장치 패키지 | TO-263AB | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HGT1S10N120BNS | |
관련 링크 | HGT1S10N, HGT1S10N120BNS 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 |
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