창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-HD74HCT1G86CME | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | HD74HCT1G86CME | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | CMPEK-5 | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | HD74HCT1G86CME | |
관련 링크 | HD74HCT1, HD74HCT1G86CME 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | SMBJ150CAE3/TR13 | TVS DIODE 150VWM 243VC SMBJ | SMBJ150CAE3/TR13.pdf | |
![]() | MCR18EZHF93R1 | RES SMD 93.1 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZHF93R1.pdf | |
![]() | AT88SC0104C-10SU-2.7 | AT88SC0104C-10SU-2.7 ATMEL SOP8 | AT88SC0104C-10SU-2.7.pdf | |
![]() | XF2L-2625-I | XF2L-2625-I omRon 26P | XF2L-2625-I.pdf | |
![]() | 3490M-50 | 3490M-50 NS SOP | 3490M-50.pdf | |
![]() | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM Samsung SMD or Through Hole | M470T2864QZ3-CE6 (DDR2/ 1G/ 667/ SO-DIMM.pdf | |
![]() | S1D13305F0OA1 | S1D13305F0OA1 EPSON QFP60 | S1D13305F0OA1.pdf | |
![]() | QSBT0044TR1 | QSBT0044TR1 ORIGINAL SMD or Through Hole | QSBT0044TR1.pdf | |
![]() | OPA605AP | OPA605AP BB DIP8 | OPA605AP.pdf | |
![]() | CK4-0397E063 | CK4-0397E063 CANON BGA | CK4-0397E063.pdf | |
![]() | B9488.0004 | B9488.0004 MA-COM SMD or Through Hole | B9488.0004.pdf |