창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HBX103SBBCRTKR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HBU/Z/E/X Series | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Vishay BC Components | |
| 계열 | HBX | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 10000pF | |
| 허용 오차 | -20%, +50% | |
| 전압 - 정격 | 2000V(2kV) | |
| 온도 계수 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
| 크기/치수 | 0.512" Dia(13.00mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | 0.630"(16.00mm) | |
| 두께(최대) | - | |
| 리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
| 특징 | 고전압 | |
| 리드 유형 | 스트레이트형 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HBX103SBBCRTKR | |
| 관련 링크 | HBX103SB, HBX103SBBCRTKR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
|  | SFH600-0X007 | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-SMD | SFH600-0X007.pdf | |
|  | FR530R | FR530R IR TO-252 | FR530R.pdf | |
|  | LM1086ILD-3.3/NOPB | LM1086ILD-3.3/NOPB NS 8-WDFN | LM1086ILD-3.3/NOPB.pdf | |
|  | SCA2-80S-P5-TR | SCA2-80S-P5-TR ROBINSONNUGENT SMD or Through Hole | SCA2-80S-P5-TR.pdf | |
|  | HYMP512U72CP8-Y5 | HYMP512U72CP8-Y5 HYNIX SMD or Through Hole | HYMP512U72CP8-Y5.pdf | |
|  | 67542-0008 | 67542-0008 MOLEX ROHS | 67542-0008.pdf | |
|  | PEH536VBG3220M3 | PEH536VBG3220M3 Kemet SMD or Through Hole | PEH536VBG3220M3.pdf | |
|  | CX-101F 49.0909MHZ | CX-101F 49.0909MHZ KYOCERA SMD-DIP | CX-101F 49.0909MHZ.pdf | |
|  | LTW-C193KRKT | LTW-C193KRKT LITEON SMD | LTW-C193KRKT.pdf | |
|  | TSN3BTJ820V | TSN3BTJ820V TATEYAMA ChipResistorArray | TSN3BTJ820V.pdf | |
|  | GENIE C14 | GENIE C14 MIC DIP | GENIE C14.pdf | |
|  | K5N5629ABA-AD110HW | K5N5629ABA-AD110HW SAMSUNG BGA57 | K5N5629ABA-AD110HW.pdf |