창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HBE472MBBCREKR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HBU/Z/E/X Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | HBE | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4700pF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 2000V(2kV) | |
온도 계수 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | 0.433" Dia(11.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.551"(14.00mm) | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.295"(7.50mm) | |
특징 | 고전압 | |
리드 유형 | 스트레이트형 | |
표준 포장 | 1,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HBE472MBBCREKR | |
관련 링크 | HBE472MB, HBE472MBBCREKR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT8008AI-32-33E-11.288000T | OSC XO 3.3V 11.288MHZ OE | SIT8008AI-32-33E-11.288000T.pdf | ||
R7220806HSOO | DIODE MODULE 800V 650A DO200AB | R7220806HSOO.pdf | ||
SRN3010-1R2Y | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 81 mOhm Max Nonstandard | SRN3010-1R2Y.pdf | ||
Y1745130R000F9L | RES SMD 130 OHM 1% 1/4W J LEAD | Y1745130R000F9L.pdf | ||
2N5461 | 2N5461 FAIRCHILD TO-92 | 2N5461.pdf | ||
UPD6133G-445-T2 | UPD6133G-445-T2 NEC SMD or Through Hole | UPD6133G-445-T2.pdf | ||
TEPSGD0E477M7-12RAS | TEPSGD0E477M7-12RAS NEC SMD or Through Hole | TEPSGD0E477M7-12RAS.pdf | ||
LT1447IS8 | LT1447IS8 LT SOP | LT1447IS8.pdf | ||
S6903J | S6903J TOSHIBA TO-220 | S6903J.pdf | ||
HY5DU643222BF-33 | HY5DU643222BF-33 HYNIX BGA | HY5DU643222BF-33.pdf | ||
B9AS110R | B9AS110R DEMEX SMD or Through Hole | B9AS110R.pdf | ||
LQN1A39NJ04M00-01/TO52 | LQN1A39NJ04M00-01/TO52 MURATA SMT | LQN1A39NJ04M00-01/TO52.pdf |