창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-HAZ272MBABRBKR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | HAU/Z/E/X Series | |
PCN 설계/사양 | Eliminate Pb in Ceramic Capacitors 26/Feb/2015 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Vishay BC Components | |
계열 | HAZ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2700pF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 1000V(1kV) | |
온도 계수 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사형, 디스크 | |
크기/치수 | - | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | - | |
특징 | 고전압 | |
리드 유형 | 스트레이트형 | |
표준 포장 | 2,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | HAZ272MBABRBKR | |
관련 링크 | HAZ272MB, HAZ272MBABRBKR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
4P049F35IET | 4.9152MHz ±30ppm 수정 20pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P049F35IET.pdf | ||
APT40DQ100BG | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | APT40DQ100BG.pdf | ||
TDH35PR100JE | RES SMD 0.1 OHM 5% 35W DPAK | TDH35PR100JE.pdf | ||
ESR25JZPF3R30 | RES SMD 3.3 OHM 1% 1/2W 1210 | ESR25JZPF3R30.pdf | ||
RT0805CRB07392KL | RES SMD 392K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB07392KL.pdf | ||
TCTAL1C156MTRF | TCTAL1C156MTRF ROHM 16V15U A | TCTAL1C156MTRF.pdf | ||
KD1204PFV2.11AF | KD1204PFV2.11AF SUNON SMD or Through Hole | KD1204PFV2.11AF.pdf | ||
HDI-6408-9 | HDI-6408-9 INTERSIL/HAR CAN | HDI-6408-9.pdf | ||
AL-HG0Y033B | AL-HG0Y033B APLUS ROHS | AL-HG0Y033B.pdf | ||
TLP521-1 SOP | TLP521-1 SOP TOS SMD or Through Hole | TLP521-1 SOP.pdf | ||
K4S640832F-TC75000 | K4S640832F-TC75000 SAMSUNG QFP | K4S640832F-TC75000.pdf | ||
BCE61DTA | BCE61DTA ORIGINAL SOT-23 | BCE61DTA.pdf |