창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HAT2299WP-EL-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HAT2299WP | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HAT2299WP-EL-E | |
| 관련 링크 | HAT2299W, HAT2299WP-EL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
| RH010R2000FE02 | RES CHAS MNT 0.2 OHM 1% 12.5W | RH010R2000FE02.pdf | ||
![]() | RSF200JB-73-430R | RES 430 OHM 2W 5% AXIAL | RSF200JB-73-430R.pdf | |
![]() | LGT679C0 | LGT679C0 NULL NULL | LGT679C0.pdf | |
![]() | AD52 | AD52 ORIGINAL SOT-23 | AD52.pdf | |
![]() | 65240003LF | 65240003LF FRAMATOME SMD or Through Hole | 65240003LF.pdf | |
![]() | B74AD | B74AD ORIGINAL DIP-16 | B74AD.pdf | |
![]() | A226 | A226 ORIGINAL T0-92 | A226.pdf | |
![]() | HCGHA1E334Y | HCGHA1E334Y ORIGINAL SMD or Through Hole | HCGHA1E334Y.pdf | |
![]() | SEC-DMPY-160 | SEC-DMPY-160 ORIGINAL SMD or Through Hole | SEC-DMPY-160.pdf | |
![]() | PYF56A | PYF56A SONY SMD4 | PYF56A.pdf | |
![]() | TMP87C1816BQP | TMP87C1816BQP ORIGINAL QFP | TMP87C1816BQP.pdf |