창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-HAT2261H-EL-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | HAT2261H | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 45A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 22.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 27nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4400pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
| 공급 장치 패키지 | 5-LFPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | HAT2261H-EL-E | |
| 관련 링크 | HAT2261, HAT2261H-EL-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | ESW227M050AH2AA | 220µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 119 mOhm @ 100kHz 5000 Hrs @ 105°C | ESW227M050AH2AA.pdf | |
![]() | RG1608V-2870-P-T1 | RES SMD 287 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608V-2870-P-T1.pdf | |
![]() | MDS90A1400V | MDS90A1400V ORIGINAL SMD or Through Hole | MDS90A1400V.pdf | |
![]() | TYN685 | TYN685 ST TO-220 | TYN685.pdf | |
![]() | SP1800EB | SP1800EB Taychipst TO-92S | SP1800EB.pdf | |
![]() | 25LC512-I/MF | 25LC512-I/MF MICROCHI DFN | 25LC512-I/MF.pdf | |
![]() | HZS7B3LRX-E | HZS7B3LRX-E RENESA SMD or Through Hole | HZS7B3LRX-E.pdf | |
![]() | R1150H024B-T1 | R1150H024B-T1 RICOH SMD or Through Hole | R1150H024B-T1.pdf | |
![]() | GSIB2580-E3 | GSIB2580-E3 VISHAY SMD or Through Hole | GSIB2580-E3.pdf | |
![]() | APA150-BG456-PROG | APA150-BG456-PROG ACTEL SMD or Through Hole | APA150-BG456-PROG.pdf | |
![]() | C-20901 | C-20901 ORIGINAL SMD or Through Hole | C-20901.pdf | |
![]() | FSMRA4JH | FSMRA4JH TycoElectronics SMD or Through Hole | FSMRA4JH.pdf |