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Renesas Electronics America H7N1002LS-E

H7N1002LS-E
제조업체 부품 번호
H7N1002LS-E
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 100V LDPAK
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내부 부품 번호EIS-H7N1002LS-E
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서H7N1002LD,LS,LM
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C75A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs10m옴 @ 37.5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs155nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds9700pF @ 10V
전력 - 최대100W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-83
공급 장치 패키지4-LDPAK
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)H7N1002LS-E
관련 링크H7N100, H7N1002LS-E 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
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