창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-H5MS1G62AFR-J3M | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | H5MS1G62AFR-J3M | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | original | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | H5MS1G62AFR-J3M | |
관련 링크 | H5MS1G62A, H5MS1G62AFR-J3M 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | CGA6M3X7S2A475M200AE | 4.7µF 100V 세라믹 커패시터 X7S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CGA6M3X7S2A475M200AE.pdf | |
![]() | FK24X7S2A334K | 0.33µF 100V 세라믹 커패시터 X7S 방사 0.177" L x 0.098" W(4.50mm x 2.50mm) | FK24X7S2A334K.pdf | |
![]() | LP040F23IDT | 4MHz ±20ppm 수정 18pF 120옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP040F23IDT.pdf | |
![]() | FQB12P20TM | MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK | FQB12P20TM.pdf | |
![]() | RG1608N-7680-B-T5 | RES SMD 768 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608N-7680-B-T5.pdf | |
![]() | TNPW0603287KBETA | RES SMD 287K OHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW0603287KBETA.pdf | |
![]() | SFR2500001154FR500 | RES 1.15M OHM 0.4W 1% AXIAL | SFR2500001154FR500.pdf | |
![]() | MBB02070C1203DRP00 | RES 120K OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1203DRP00.pdf | |
![]() | TC105303ECTTR | TC105303ECTTR MICROCHIP SOT23-5 | TC105303ECTTR.pdf | |
![]() | 2220-226M | 2220-226M ORIGINAL SMD or Through Hole | 2220-226M.pdf | |
![]() | ULE21VW1A-F-60W | ULE21VW1A-F-60W OPL SMD or Through Hole | ULE21VW1A-F-60W.pdf | |
![]() | SMDA15LCC-LF | SMDA15LCC-LF PROTEKDEVICES SMDA15CCSeries5Ch | SMDA15LCC-LF.pdf |