창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-H3BA-N8N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | H3BA-N8N | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | H3BA-N8N | |
| 관련 링크 | H3BA, H3BA-N8N 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | B32529C473K289 | 0.047µF Film Capacitor 40V 63V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.098" W (7.30mm x 2.50mm) | B32529C473K289.pdf | |
![]() | SIT3808AC-D-28EH | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 33mA Enable/Disable | SIT3808AC-D-28EH.pdf | |
![]() | AA0201FR-0749R9L | RES SMD 49.9 OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-0749R9L.pdf | |
![]() | RG2012P-134-W-T5 | RES SMD 130K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012P-134-W-T5.pdf | |
![]() | 1785/26 100 | 1785/26 100 ORIGINAL NEW | 1785/26 100.pdf | |
![]() | SiP21102DR-18-E3 | SiP21102DR-18-E3 VISHAY SOT-353 | SiP21102DR-18-E3.pdf | |
![]() | MAP1210CWE | MAP1210CWE MAXIM SOP | MAP1210CWE.pdf | |
![]() | bzg04-12 | bzg04-12 NXP DO214 | bzg04-12.pdf | |
![]() | PT039002B | PT039002B SAMSUNG SMD or Through Hole | PT039002B.pdf | |
![]() | LF80537GG0494MSLAF8 | LF80537GG0494MSLAF8 INTEL SMD or Through Hole | LF80537GG0494MSLAF8.pdf | |
![]() | UT232AG SOP-16 T/R | UT232AG SOP-16 T/R UTC SMD or Through Hole | UT232AG SOP-16 T/R.pdf |