창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-H11F1VM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | H11F1M-3M | |
| 카탈로그 페이지 | 2758 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 절연기 | |
| 제품군 | 광분리기 - 트랜지스터, 광전지 출력 | |
| 제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | * | |
| 채널 개수 | 1 | |
| 전압 - 분리 | 7500Vpk | |
| 전류 전달비(최소) | - | |
| 전류 전달비(최대) | - | |
| 턴온/턴오프(통상) | 45µs, 45µs(최대) | |
| 상승/하강 시간(통상) | - | |
| 입력 유형 | DC | |
| 출력 유형 | MOSFET | |
| 전압 - 출력(최대) | 30V | |
| 전류 - 출력/채널 | - | |
| 전압 - 순방향(Vf) 통상 | 1.3V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 60mA | |
| Vce 포화(최대) | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 100°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 6-DIP(0.300", 7.62mm) | |
| 공급 장치 패키지 | 6-DIP | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | H11F1VM | |
| 관련 링크 | H11F, H11F1VM 데이터 시트, Fairchild Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | CC0603JRNPO9BN110 | 11pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CC0603JRNPO9BN110.pdf | |
![]() | CX3225GB18432D0HEQCC | 18.432MHz ±20ppm 수정 8pF 80옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB18432D0HEQCC.pdf | |
![]() | ZWS300BAF12/T | AC/DC CONVERTER 12V 300W | ZWS300BAF12/T.pdf | |
![]() | Y1629100R000B9R | RES SMD 100 OHM 0.1% 1/10W 0805 | Y1629100R000B9R.pdf | |
![]() | 953-1C-270VAC | 953-1C-270VAC ORIGINAL SMD or Through Hole | 953-1C-270VAC.pdf | |
![]() | RF15.314100022 | RF15.314100022 ORIGINAL SMD or Through Hole | RF15.314100022.pdf | |
![]() | PSB80190VV | PSB80190VV INFINEON QFN | PSB80190VV.pdf | |
![]() | LTV849S-V | LTV849S-V LITEON SMD or Through Hole | LTV849S-V.pdf | |
![]() | GIDF04 | GIDF04 GI SMD or Through Hole | GIDF04.pdf | |
![]() | RL207(ROHS) | RL207(ROHS) RL DIP | RL207(ROHS).pdf | |
![]() | HYB39S64800BTB | HYB39S64800BTB INF TSOP2 OB | HYB39S64800BTB.pdf |