창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GWM180-004X2-SLSAM | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 6 N-Chan(3상 브리지) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.5m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 17-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS-DIL™ | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GWM180-004X2-SLSAM | |
| 관련 링크 | GWM180-004, GWM180-004X2-SLSAM 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 24AA014H-I/MS | 24AA014H-I/MS MICROCHIP Original Package | 24AA014H-I/MS.pdf | |
![]() | 2N5349 | 2N5349 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2N5349.pdf | |
![]() | IMP5225CDWP | IMP5225CDWP ORIGINAL SOP | IMP5225CDWP.pdf | |
![]() | PNP-3750-L22-G | PNP-3750-L22-G RFMD vco | PNP-3750-L22-G.pdf | |
![]() | BZX2C3V3 | BZX2C3V3 ST DO-41 | BZX2C3V3.pdf | |
![]() | LFBK1608HS471-T(0603-470R) | LFBK1608HS471-T(0603-470R) ORIGINAL SMD or Through Hole | LFBK1608HS471-T(0603-470R).pdf | |
![]() | G5630GKY117 | G5630GKY117 N/P SMD or Through Hole | G5630GKY117.pdf | |
![]() | 216MPA4AKA21HK RS480M | 216MPA4AKA21HK RS480M ATI BGA | 216MPA4AKA21HK RS480M.pdf | |
![]() | AN6363 | AN6363 Pan DIP20 | AN6363.pdf | |
![]() | 2SC4976-D | 2SC4976-D SANYO TO-252 | 2SC4976-D .pdf | |
![]() | ZPD3.3-SB00018 | ZPD3.3-SB00018 VISHAY SMD or Through Hole | ZPD3.3-SB00018.pdf | |
![]() | RTQ030P02-TR | RTQ030P02-TR ROHM SOT-163 | RTQ030P02-TR.pdf |