창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GWM120-0075P3-SMD SAM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | GWM120-0075P3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 6 N-Chan(3상 브리지) | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 118A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 100nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
전력 - 최대 | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 17-SMD, 갈매기날개형 | |
공급 장치 패키지 | ISOPLUS-DIL™ | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GWM120-0075P3-SMD SAM | |
관련 링크 | GWM120-0075P, GWM120-0075P3-SMD SAM 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
C2012X5R1E475M085AC | 4.7µF 25V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X5R1E475M085AC.pdf | ||
QTLP601C-EB | QTLP601C-EB FAIRCHILD SMD or Through Hole | QTLP601C-EB.pdf | ||
BTS640S2 S | BTS640S2 S INFINEON TO-220-7 | BTS640S2 S.pdf | ||
2SK211-IGE | 2SK211-IGE TOSHIBA SOT-23 | 2SK211-IGE.pdf | ||
UMBF170G-AE2-R | UMBF170G-AE2-R UTC SOT-23-3 | UMBF170G-AE2-R.pdf | ||
CY7B923-LMB | CY7B923-LMB ORIGINAL SMD or Through Hole | CY7B923-LMB.pdf | ||
NIM062M | NIM062M JRC SOP8 | NIM062M.pdf | ||
25A160A-I | 25A160A-I MIC SOP-8 | 25A160A-I.pdf | ||
1232-CS | 1232-CS N/Y SOP16W | 1232-CS.pdf | ||
AM50YXA470MEFC10*2 | AM50YXA470MEFC10*2 ORIGINAL SMD or Through Hole | AM50YXA470MEFC10*2.pdf | ||
7MBR75SA120B | 7MBR75SA120B FUJI SMD or Through Hole | 7MBR75SA120B.pdf | ||
NU88BGYP-QR26ES | NU88BGYP-QR26ES INTEL BGA | NU88BGYP-QR26ES.pdf |