- GT1S12N60B3DS
- 제조업체 부품 번호
- GT1S12N60B3DS
- 제조업 자
- -
- 제품 카테고리
- 다른 구성 요소 - 3
- 간단한 설명
- GT1S12N60B3DS KA/INF SMD or Through Hole
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
GT1S12N60B3DS 가격 및 조달
가능 수량
107240 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GT1S12N60B3DS 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GT1S12N60B3DS 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GT1S12N60B3DS가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GT1S12N60B3DS 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GT1S12N60B3DS 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GT1S12N60B3DS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GT1S12N60B3DS | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GT1S12N60B3DS | |
| 관련 링크 | GT1S12N, GT1S12N60B3DS 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
GT1S12N60B3DS 의 관련 제품
.jpg) | GCM2165C2A621JA16D | 620pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GCM2165C2A621JA16D.pdf | |
| PA4310.564NLT | 560µH Unshielded Wirewound Inductor 1.5A 1.68 Ohm Max Nonstandard | PA4310.564NLT.pdf | |
| 30110 | RF Directional Coupler Military 600MHz ~ 1.2GHz 3dB 200W Module | 30110.pdf | |
| K4S511632DUC75 | K4S511632DUC75 Samsung SMD or Through Hole | K4S511632DUC75.pdf | |
| 2SC5231 C8/C9 | 2SC5231 C8/C9 SANYO SOT-423 | 2SC5231 C8/C9.pdf | |
| 251R15S220JV6E | 251R15S220JV6E JOHANSON SMD | 251R15S220JV6E.pdf | |
| 3356-R24 | 3356-R24 NEC SOT-23 | 3356-R24.pdf | |
| LNC6081AIM | LNC6081AIM NS DIP-8 | LNC6081AIM.pdf | |
| ST103S04PFL0 | ST103S04PFL0 IR SMD or Through Hole | ST103S04PFL0.pdf | |
| CDBCB455KCAY09-R0 | CDBCB455KCAY09-R0 MURATA SMD | CDBCB455KCAY09-R0.pdf | |
| BF421-AT/P | BF421-AT/P ORIGINAL SMD or Through Hole | BF421-AT/P.pdf | |
| XCD520-AA36 | XCD520-AA36 ORIGINAL QFP | XCD520-AA36.pdf |