- GT11MV3BE
GT11MV3BE 가격 및 조달
가능 수량
85490 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GT11MV3BE 재고가 있습니다. 우리는 - 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 - 전자 부품 전문. GT11MV3BE 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GT11MV3BE가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GT11MV3BE 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GT11MV3BE 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GT11MV3BE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | GT11MV3BE | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | GT11MV3BE | |
| 관련 링크 | GT11M, GT11MV3BE 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
GT11MV3BE 의 관련 제품
 | SIT3808AI-C-33SB | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 33mA Standby | SIT3808AI-C-33SB.pdf | |
 | P1812R-272H | 2.7µH Unshielded Inductor 800mA 288 mOhm Max Nonstandard | P1812R-272H.pdf | |
 | MCR18EZPF37R4 | RES SMD 37.4 OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18EZPF37R4.pdf | |
 | YZ-P3*1W-BL-50C | YZ-P3*1W-BL-50C ORIGINAL SMD or Through Hole | YZ-P3*1W-BL-50C.pdf | |
| STM708TAM6F | STM708TAM6F ST SO-8 | STM708TAM6F.pdf | |
| DB3100EFTT/6HF | DB3100EFTT/6HF STM BGA | DB3100EFTT/6HF.pdf | |
| 6000MOYOBE | 6000MOYOBE INTEL BGA | 6000MOYOBE.pdf | |
| M34509G4-522FP | M34509G4-522FP RENESAS SSOP24 | M34509G4-522FP.pdf | |
| NRC335K35R12 | NRC335K35R12 NEC SMD | NRC335K35R12.pdf | |
| RC0805FR-07150K | RC0805FR-07150K PHYCOMP SMD or Through Hole | RC0805FR-07150K.pdf | |
| S22MD1VI | S22MD1VI SHARP DIP-71000 | S22MD1VI.pdf |