창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GSIB660N-M3/45 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GSIB6x0N | |
| PCN 설계/사양 | DD-004-2015-Rev-0 14/Jan/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 브리지 정류기 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 단상 | |
| 전압 - 피크 역(최대) | 600V | |
| 전류 - DC 순방향(If) | 6A | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | 4-SIP, GSIB-5S | |
| 공급 장치 패키지 | GSIB-5S | |
| 표준 포장 | 20 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GSIB660N-M3/45 | |
| 관련 링크 | GSIB660N, GSIB660N-M3/45 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 06033A180JAT4A | 18pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06033A180JAT4A.pdf | |
![]() | 402F20012IAT | 20MHz ±10ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F20012IAT.pdf | |
![]() | TLSV1022(T14,F)/(T15,F) | TLSV1022(T14,F)/(T15,F) TOSHIBA 16 L) 0.8(W) 0.45(H) | TLSV1022(T14,F)/(T15,F).pdf | |
![]() | SBN6400G-D | SBN6400G-D AVANT DIE | SBN6400G-D.pdf | |
![]() | 2SC1610 | 2SC1610 ORIGINAL TO-3 | 2SC1610.pdf | |
![]() | SA30C-TR | SA30C-TR GENERALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | SA30C-TR.pdf | |
![]() | ISL23315TFUZ-T7A | ISL23315TFUZ-T7A Intersil SMD or Through Hole | ISL23315TFUZ-T7A.pdf | |
![]() | H42B6 | H42B6 ORIGINAL SMD or Through Hole | H42B6.pdf | |
![]() | A879AY-560K | A879AY-560K TOKO SMD or Through Hole | A879AY-560K.pdf | |
![]() | LQN6C471M04M00-01/T052 | LQN6C471M04M00-01/T052 MURATA SMD | LQN6C471M04M00-01/T052.pdf |