창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-GRM2162C1H681JA01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | GRM2162C1H681JA01D | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | GRM2162C1H681JA01D | |
관련 링크 | GRM2162C1H, GRM2162C1H681JA01D 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | T520X687M004ATE015 | 680µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 15 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T520X687M004ATE015.pdf | |
![]() | T86D686K010EASL | 68µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 350 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D686K010EASL.pdf | |
![]() | ASTMUPCV-33-20.000MHZ-LJ-E-T3 | 20MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCV-33-20.000MHZ-LJ-E-T3.pdf | |
![]() | SI4156DY-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 24A 8-SOIC | SI4156DY-T1-GE3.pdf | |
![]() | PM638S-560-RC | 56µH Shielded Wirewound Inductor 850mA 202 mOhm Max Nonstandard | PM638S-560-RC.pdf | |
![]() | MCU0805MD3322BP100 | RES SMD 33.2K OHM 0.1% 1/5W 0805 | MCU0805MD3322BP100.pdf | |
![]() | MNR35J5RJ223 | RES ARRAY 8 RES 22K OHM 2512 | MNR35J5RJ223.pdf | |
![]() | 4814P-2-511 | RES ARRAY 13 RES 510 OHM 14SOIC | 4814P-2-511.pdf | |
![]() | CS6158-IP1 | CS6158-IP1 ORIGINAL DIP | CS6158-IP1 .pdf | |
![]() | 7102A | 7102A JRC SOP8 | 7102A.pdf | |
![]() | 501190-5027 | 501190-5027 MOLEX SMD or Through Hole | 501190-5027.pdf | |
![]() | MH4V3245BWXTJ6/M5M465165BTP | MH4V3245BWXTJ6/M5M465165BTP MIT DIMM | MH4V3245BWXTJ6/M5M465165BTP.pdf |