창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GQM2195C2E110GB12D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM2195C2E110GB12 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GQM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 11pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 250V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GQM2195C2E110GB12D | |
관련 링크 | GQM2195C2E, GQM2195C2E110GB12D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
![]() | SI7119DN-T1-E3 | MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8 | SI7119DN-T1-E3.pdf | |
![]() | ERA-8ARW6981V | RES SMD 6.98KOHM 0.05% 1/4W 1206 | ERA-8ARW6981V.pdf | |
![]() | CMF55300R00BEBF | RES 300 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55300R00BEBF.pdf | |
![]() | FX031FH49P4M(4 | FX031FH49P4M(4 KINSEKI SMD or Through Hole | FX031FH49P4M(4.pdf | |
![]() | UC342H1000J | UC342H1000J ORIGINAL SMD or Through Hole | UC342H1000J.pdf | |
![]() | CS3F(Code) | CS3F(Code) Ohmite SMD or Through Hole | CS3F(Code).pdf | |
![]() | SI7864ADP-T1-GE3 | SI7864ADP-T1-GE3 VISHAY QFN8 | SI7864ADP-T1-GE3.pdf | |
![]() | GRM2165C1H240JA01D | GRM2165C1H240JA01D MUR SMD or Through Hole | GRM2165C1H240JA01D.pdf | |
![]() | GZS2.0X | GZS2.0X NIL SMD or Through Hole | GZS2.0X.pdf | |
![]() | 78K0/LE2-KE2-64GB | 78K0/LE2-KE2-64GB ORIGINAL SMD or Through Hole | 78K0/LE2-KE2-64GB.pdf | |
![]() | CSBLA820KJ58-B0 | CSBLA820KJ58-B0 MURATA SMD or Through Hole | CSBLA820KJ58-B0.pdf | |
![]() | KS537-OL | KS537-OL Samsung SMD or Through Hole | KS537-OL.pdf |