창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM1885C1H110JB01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM1885C1H110JB01 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 11pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 50V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | 490-12666-2 GQM1885C1H110JB01D-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM1885C1H110JB01D | |
| 관련 링크 | GQM1885C1H, GQM1885C1H110JB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | K470K10C0GH53L2 | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K470K10C0GH53L2.pdf | |
![]() | BK/ABC-V-3/4-R | FUSE CERAMIC 750MA 250VAC 125VDC | BK/ABC-V-3/4-R.pdf | |
![]() | 80F2R21 | RES 2.21 OHM 10W 1% AXIAL | 80F2R21.pdf | |
![]() | 1733/BCBJC | 1733/BCBJC MOT CDIP | 1733/BCBJC.pdf | |
![]() | IRM238B,IRM8380,IR333C/HO,PT204B | IRM238B,IRM8380,IR333C/HO,PT204B ORIGINAL SMD or Through Hole | IRM238B,IRM8380,IR333C/HO,PT204B.pdf | |
![]() | XFM-1001-1UH | XFM-1001-1UH PDI SMD or Through Hole | XFM-1001-1UH.pdf | |
![]() | AFK475M35B12T | AFK475M35B12T CDE SMD | AFK475M35B12T.pdf | |
![]() | XC3S15000FG456AFQ | XC3S15000FG456AFQ XILINX BGA | XC3S15000FG456AFQ.pdf | |
![]() | EXBH8V821J | EXBH8V821J ORIGINAL 0805x8 | EXBH8V821J.pdf | |
![]() | MC131523E | MC131523E MOT DIP | MC131523E.pdf | |
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