창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM1875C2E8R2DB12D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering GQM1875C2E8R2DB12 Ref Sheet Chip Monolithic Ceramic Capacitors | |
| 제품 교육 모듈 | Hi-Q Multilayer Ceramic Capacitors | |
| 주요제품 | High Frequency - High Q Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 8.2pF | |
| 허용 오차 | ±0.5pF | |
| 전압 - 정격 | 250V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.031"(0.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM1875C2E8R2DB12D | |
| 관련 링크 | GQM1875C2E, GQM1875C2E8R2DB12D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | MAL210649683E3 | 68000µF 100V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 5 mOhm @ 100Hz 20000 Hrs @ 85°C | MAL210649683E3.pdf | |
![]() | 402F25022IKT | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F25022IKT.pdf | |
![]() | MMSZ5228C-E3-18 | DIODE ZENER 3.9V 500MW SOD123 | MMSZ5228C-E3-18.pdf | |
![]() | LTC-5728P-K1 | LTC-5728P-K1 LITEON DIP | LTC-5728P-K1.pdf | |
![]() | 1N5803US | 1N5803US Microsemi SMD | 1N5803US.pdf | |
![]() | 35181-0200 | 35181-0200 MOLEX SMD or Through Hole | 35181-0200.pdf | |
![]() | 51.276M | 51.276M EPSON SG8002JF | 51.276M.pdf | |
![]() | DS90LV001TLDCT | DS90LV001TLDCT NS SMD or Through Hole | DS90LV001TLDCT.pdf | |
![]() | THAT2155 | THAT2155 THAT SIP-8 | THAT2155.pdf | |
![]() | LCD-845 | LCD-845 VIEWT SMD or Through Hole | LCD-845.pdf | |
![]() | GVS690H | GVS690H AD QFP | GVS690H.pdf | |
![]() | DG1818A | DG1818A MAX CAN | DG1818A.pdf |