창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-GQM1555C2DR30CB01D | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering Chip Monolithic Ceramic Capacitors GQM1555C2DR30CB01 Ref Sheet | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Murata Electronics North America | |
계열 | GQM | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.30pF | |
허용 오차 | ±0.25pF | |
전압 - 정격 | 200V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | GQM1555C2DR30CB01D | |
관련 링크 | GQM1555C2D, GQM1555C2DR30CB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 |
445W3XA20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W3XA20M00000.pdf | ||
416F25023CKT | 25MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25023CKT.pdf | ||
CRCW20105M62FKTF | RES SMD 5.62M OHM 1% 3/4W 2010 | CRCW20105M62FKTF.pdf | ||
AD22285-R2(ADXL278) | AD22285-R2(ADXL278) AD CLCC8 | AD22285-R2(ADXL278).pdf | ||
SCDS64T-102M-N | SCDS64T-102M-N CHILISIN SMD or Through Hole | SCDS64T-102M-N.pdf | ||
AGR0440P | AGR0440P ORIGINAL TSSOP | AGR0440P.pdf | ||
MX7543GKEWE | MX7543GKEWE MAX Call | MX7543GKEWE.pdf | ||
HT-V253TWK | HT-V253TWK HARVATEK ROHS | HT-V253TWK.pdf | ||
S3C7305DB7-QXR5 | S3C7305DB7-QXR5 SAMSUNG QFP | S3C7305DB7-QXR5.pdf | ||
FIN1031MX | FIN1031MX FairchildSemiconduct 16-SOIC | FIN1031MX.pdf | ||
BGS14AL12EES | BGS14AL12EES INFINEON SMD or Through Hole | BGS14AL12EES.pdf | ||
PBSS8510PA,115 | PBSS8510PA,115 NXP SOT1061 | PBSS8510PA,115.pdf |