창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GQM1555C2D7R9CB01D | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Chip Monolithic Ceramic Caps Part Numbering Chip Monolithic Ceramic Capacitors GQM1555C2D7R9CB01 Ref Sheet | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Murata Electronics North America | |
| 계열 | GQM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 7.9pF | |
| 허용 오차 | ±0.25pF | |
| 전압 - 정격 | 200V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | RF, 마이크로웨이브, 고주파수 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | 높은 Q값, 저손실 | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GQM1555C2D7R9CB01D | |
| 관련 링크 | GQM1555C2D, GQM1555C2D7R9CB01D 데이터 시트, Murata Electronics North America 에이전트 유통 | |
![]() | AISM-1210-470K-T | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 60mA 7 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | AISM-1210-470K-T.pdf | |
![]() | TCG085WV1AB-G01 | TCG085WV1AB-G01 KYOCERA SMD or Through Hole | TCG085WV1AB-G01.pdf | |
![]() | UPD705103GM-180-8ED-A | UPD705103GM-180-8ED-A NEC SMD or Through Hole | UPD705103GM-180-8ED-A.pdf | |
![]() | CD74HC75PW | CD74HC75PW TI TSSOP-16 | CD74HC75PW.pdf | |
![]() | PSD834F290J | PSD834F290J STMicroelectronics 52-TQFP | PSD834F290J.pdf | |
![]() | MOC3040 #T | MOC3040 #T QTC/MOT/FAI DIP-8P | MOC3040 #T.pdf | |
![]() | 1638/ | 1638/ ORIGINAL SOP10 | 1638/.pdf | |
![]() | TA78015AP | TA78015AP TOSHIBA TO-220 | TA78015AP.pdf | |
![]() | GF-GO6800-P-B1 | GF-GO6800-P-B1 NVIDIA BGA | GF-GO6800-P-B1.pdf | |
![]() | AN79M12F | AN79M12F ORIGINAL SMD or Through Hole | AN79M12F.pdf | |
![]() | HZS18-1LRX-E | HZS18-1LRX-E RENESA SMD or Through Hole | HZS18-1LRX-E.pdf | |
![]() | 7865562 | 7865562 AMP SMD or Through Hole | 7865562.pdf |