창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2Y0D810Z0F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2Y0D810Z0F GP2Y0D810Z0F Spec. | |
| 애플리케이션 노트 | GP2Y0D805Z0F,810Z0F Appl Note | |
| 카탈로그 페이지 | 2776 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 광 센서 - 거리 측정 | |
| 제조업체 | Sharp Microelectronics | |
| 계열 | - | |
| 부품 현황 | * | |
| 감지 거리 | 10cm | |
| 출력 유형 | 디지털 | |
| 전압 - 공급 | 2.7 V ~ 6.2 V | |
| 전류 - 공급 | 10.5mA | |
| 전압 - 출력 차(통상) @ 거리 | - | |
| 전압 - 출력(통상) @ 거리 | - | |
| 작동 온도 | -10°C ~ 60°C(TA) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 425-2616-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2Y0D810Z0F | |
| 관련 링크 | GP2Y0D8, GP2Y0D810Z0F 데이터 시트, Sharp Microelectronics 에이전트 유통 | |
![]() | 102S42E160KV4E | 16pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | 102S42E160KV4E.pdf | |
![]() | RT0402BRE07196RL | RES SMD 196 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRE07196RL.pdf | |
![]() | Y00606K98000B1L | RES 6.98K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | Y00606K98000B1L.pdf | |
![]() | 15164444A1 | 15164444A1 ORIGINAL DIP8 | 15164444A1.pdf | |
![]() | MA3X5580GL | MA3X5580GL PAN SOT23 | MA3X5580GL.pdf | |
![]() | PSA2555C-LF | PSA2555C-LF Z-COM SMD or Through Hole | PSA2555C-LF.pdf | |
![]() | PEB2084QUAT-S | PEB2084QUAT-S SIMENG SMD or Through Hole | PEB2084QUAT-S.pdf | |
![]() | ATMEGA128L-AU | ATMEGA128L-AU AT QFP64 | ATMEGA128L-AU.pdf | |
![]() | RN2606(TE85L) | RN2606(TE85L) TOSH SMD or Through Hole | RN2606(TE85L).pdf | |
![]() | SA52121606 | SA52121606 FUJI SMD or Through Hole | SA52121606.pdf |