창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M013A050F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M013A050F | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 480m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1798pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1212-1 1560-1212-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M013A050F | |
| 관련 링크 | GP2M013, GP2M013A050F 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | 445C25L12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 12pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25L12M00000.pdf | |
![]() | MRS16000C6808FRP00 | RES 6.8 OHM 0.4W 1% AXIAL | MRS16000C6808FRP00.pdf | |
![]() | IRFR3418TRPBF | IRFR3418TRPBF IR SOT252 | IRFR3418TRPBF.pdf | |
![]() | MJD44H11R2 | MJD44H11R2 MOT SMD or Through Hole | MJD44H11R2.pdf | |
![]() | NJM2536MC-BHN | NJM2536MC-BHN JRC SSOP | NJM2536MC-BHN.pdf | |
![]() | ADT7484ARMZ | ADT7484ARMZ AD TSSOP-8 | ADT7484ARMZ.pdf | |
![]() | D82C284-6 | D82C284-6 ORIGINAL DIP | D82C284-6.pdf | |
![]() | P87LPC764FN. | P87LPC764FN. NXP DIP | P87LPC764FN..pdf | |
![]() | QT1608RL600-LF | QT1608RL600-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | QT1608RL600-LF.pdf | |
![]() | DRH6D283R0NC | DRH6D283R0NC SUMI SMD or Through Hole | DRH6D283R0NC.pdf | |
![]() | 1SV215 / T2 | 1SV215 / T2 TOSHIBA SOD-323 | 1SV215 / T2.pdf | |
![]() | GQZ33D | GQZ33D PANJIT QUADRO-MELF | GQZ33D.pdf |