Global Power Technologies Group GP2M012A080NG
- 제조업체 부품 번호
- GP2M012A080NG
- 제조업 자
- Global Power Technologies Group
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
GP2M012A080NG 가격 및 조달
가능 수량
9450 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,399.62600
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 GP2M012A080NG 재고가 있습니다. 우리는 Global Power Technologies Group 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Global Power Technologies Group 전자 부품 전문. GP2M012A080NG 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. GP2M012A080NG가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- GP2M012A080NG 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
GP2M012A080NG 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M012A080NG | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M012A080NG | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 650m옴 @ 6A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 79nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3370pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 416W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PN | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1211-1 1560-1211-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M012A080NG | |
| 관련 링크 | GP2M012, GP2M012A080NG 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
GP2M012A080NG 의 관련 제품
 | C0603C511J3GACTU | 510pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C0603C511J3GACTU.pdf | |
 | MKP385282063JBM2B0 | 8200pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.177" W (7.20mm x 4.50mm) | MKP385282063JBM2B0.pdf | |
 | ABL-19.200MHZ-B4Y-T | 19.2MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ABL-19.200MHZ-B4Y-T.pdf | |
 | ASFLMB-80.000MHZ-LR-T | 80MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASFLMB-80.000MHZ-LR-T.pdf | |
 | CM322522-150JL | 15µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 2.8 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | CM322522-150JL.pdf | |
 | CRCW08052K21FKEAHP | RES SMD 2.21K OHM 1% 1/2W 0805 | CRCW08052K21FKEAHP.pdf | |
 | HVR3700003484FR500 | RES 3.48M OHM 1/2W 1% AXIAL | HVR3700003484FR500.pdf | |
| 74ALVCH16841DL | 74ALVCH16841DL ti SMD or Through Hole | 74ALVCH16841DL.pdf | |
| 72267-001 | 72267-001 FCI SMD or Through Hole | 72267-001.pdf | |
| F2163BTE10VH8S/2163BV | F2163BTE10VH8S/2163BV ORIGINAL QFP | F2163BTE10VH8S/2163BV.pdf | |
| HP32D182MCAPF | HP32D182MCAPF HITACHI DIP | HP32D182MCAPF.pdf |