창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M010A065F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M010A065F, H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 9.5A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 820m옴 @ 4.75A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1670pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220F | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 1560-1207-1 1560-1207-1-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M010A065F | |
| 관련 링크 | GP2M010, GP2M010A065F 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | RT0402DRD07549RL | RES SMD 549 OHM 0.5% 1/16W 0402 | RT0402DRD07549RL.pdf | |
![]() | YC324-JK-077K5L | RES ARRAY 4 RES 7.5K OHM 2012 | YC324-JK-077K5L.pdf | |
![]() | 43F300E | RES 300 OHM 3W 1% AXIAL | 43F300E.pdf | |
![]() | OP755C | PHOTOTRNS NPN W/RES SIDE LOOK | OP755C.pdf | |
| PX2BN2XX500PSAAX | Pressure Sensor 500 PSI (3447.38 kPa) Sealed Gauge Male - 1/8" (3.18mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | PX2BN2XX500PSAAX.pdf | ||
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![]() | AL-HW436D | AL-HW436D A-BRIGHT PB-FREE | AL-HW436D.pdf | |
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![]() | RG82865 | RG82865 ORIGINAL SMD or Through Hole | RG82865.pdf | |
![]() | MSD9WB7GX-LF-2-Z1 | MSD9WB7GX-LF-2-Z1 MSTAR BGA | MSD9WB7GX-LF-2-Z1.pdf |