창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-GP2M010A060H | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | GP2M010A060F, H | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Global Power Technologies Group | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1660pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 198W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220 | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | GP2M010A060H | |
| 관련 링크 | GP2M010, GP2M010A060H 데이터 시트, Global Power Technologies Group 에이전트 유통 | |
![]() | CDV30FF252FO3F | MICA | CDV30FF252FO3F.pdf | |
![]() | IRFR9020PBF | MOSFET P-CH 50V 9.9A DPAK | IRFR9020PBF.pdf | |
![]() | MPI4040R3-1R2-R | 1.2µH Shielded Wirewound Inductor 4A 32 mOhm Nonstandard | MPI4040R3-1R2-R.pdf | |
![]() | TNPW20101M00BEEF | RES SMD 1M OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20101M00BEEF.pdf | |
![]() | FQD45N04 | FQD45N04 FAIRCHILD TO-252 | FQD45N04.pdf | |
![]() | 10R6965 | 10R6965 IDT BGA-308D | 10R6965.pdf | |
![]() | IX0269AWZZ | IX0269AWZZ SHARP QFP100 | IX0269AWZZ.pdf | |
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![]() | SAA7706H/N210S | SAA7706H/N210S NXP QFP80 | SAA7706H/N210S.pdf | |
![]() | 265YG-21 | 265YG-21 HARVATEK SMD or Through Hole | 265YG-21.pdf | |
![]() | CF2-DC24V/12V/5V | CF2-DC24V/12V/5V NAIS SMD or Through Hole | CF2-DC24V/12V/5V.pdf | |
![]() | T308S200T | T308S200T AEG SMD or Through Hole | T308S200T.pdf |